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第一百三十一章 光刻机技术路线

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件和互连。光掩膜被放置在光刻机的光源和硅晶圆之间。

光刻机中的光源(KrF或者ArF)照射到光掩膜上。

光通过图案的开放区域,被阻挡的部分与图案相对应。

然后,光通过投影光学系统,该系统将图案缩放并聚焦到硅晶圆上涂有光刻胶的表面。

经过曝光后,光刻胶中的光敏材料发生化学变化。

在阳性光刻胶中,曝光区域变得更容易溶解;在阴性光刻胶中,曝光区域变得更不容易溶解。

将硅晶圆浸入显影液中,溶解掉光刻胶中发生化学变化的区域。这样,光掩膜上的图案就被准确地转移到硅晶圆表面的光刻胶上。

光刻胶图案形成后,通过刻蚀、掺杂或金属沉积步骤将逐层构建出完整的芯片。

在没有线上百科,不对,现在已经有Quora百科了,总之能够准确说出ArF和KrF证明周新在光刻机领域还是有比较深入研究的。

毕竟很多光刻机领域的从业人员都不知道还有ArF这条技术路线。

林本坚说:“ArF的波长是193nm,而KrF光源的波长是248nm,较短的波长有助于实现更高的分辨率和更精细的图案。”

周新问:“但是ArF他在具体处理更小的制程节点的时候,会出现更多的线性波动和不规则性。

虽然ArF波长更短,但是它的不可控性更高。

这对于工业化生产来说是大忌。这才是为什么尼康也好,ASML也好,在尝试过ArF之后,都不愿意继续朝着这个方向投入研发成本的最重要原因吧。”

周新话音刚落,林本坚脸色大变,周新知道ArF和KrF,这他能理解。

因为这些都是发表在公开期刊上的内容,但凡对光刻机感兴趣的人,都有机会阅读到。

但是周新能够准确说出不往ArF方向投入的原因,即便从业人员,都没有办法知道的内容。

这一章的科普性质内容有点多,但是没办法,不说清楚光刻机怎么作业,大家会看的一头雾水。

科普内容一共是400字,也就2起点币,算一下也还好。

(本章完)



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